IBM y Samsung han anunciado su último avance en el diseño de semiconductores: una nueva forma de apilar los transistores verticalmente en un chip (en lugar de hacerlo en la superficie del semiconductor).
El nuevo diseño de Transistores de Efecto de Campo de Transporte Vertical (VTFET) está destinado a suceder a la actual tecnología FinFET que se usa en algunos de los chips más avanzados de la actualidad y podría permitir la creación de chips con una densidad de transistores aún mayor que la actual.
En resumen, el nuevo diseño apilaría los transistores verticalmente, lo que permitiría que la corriente fluyera hacia arriba y hacia abajo de la pila de transistores en lugar de la disposición horizontal de lado a lado que se usa actualmente en la mayoría de los chips.
Los diseños verticales de los semiconductores son una tendencia desde hace tiempo (FinFET ya ofrece algunas de esas ventajas); la futura hoja de ruta de Intel también parece ir en esa dirección, aunque su trabajo inicial se centró en apilar los componentes del chip en lugar de los transistores individuales.
Aunque todavía estamos lejos de que los diseños VTFET se utilicen en chips de consumo reales, las dos empresas hacen grandes promesas, señalando que los chips VTFET podrían ofrecer una «mejora del doble de rendimiento o una reducción del 85% del uso de energía» en comparación con los diseños FinFET.
Además, al incluir más transistores en los chips, IBM y Samsung afirman que la tecnología VTFET podría ayudar a mantener el objetivo de la ley de Moore de aumentar constantemente el número de transistores.
Además de los teléfonos móviles, otros casos de uso posibles y ambiciosos para la nueva tecnología podrían ser la minería de criptomonedas o cifrado de datos que requieren menos energía, e incluso dispositivos IoT más potentes o incluso su uso en misiones espaciales.
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