Sobre el papel, la energía fotovoltaica de capa fina de GaAs (arseniuro de galio) tiene una eficiencia teórica máxima del 33,5 %, el llamado límite Shockley-Queisser. En otras palabras, es capaz por sí sola, sin concentración de luz ni segundos semiconductores, de transformar más de un tercio de la energía incidente en electricidad. Debido a obvias limitaciones prácticas, las celdas fabricadas hasta ahora han producido rendimientos significativamente más bajos. Sin embargo, los investigadores en el campo solar están convencidos de que pueden alcanzar y llevar al mercado al menos un 30%. Hoy en día, Alta Devices, una filial de Hanergy Group en China, también aspira a este objetivo.
[Leer más…] acerca de La tecnología fotovoltaica de capa fina de GaAs alcanza una eficiencia récord del 28,9%
